GED hat eine Reihe von HALL-ASICs mit folgenden Eigenschaften entwickelt:

  • Streß- und Offset-kompensierte
  • Hallplatten mit digitaler Auswertung
  • Schaltpunkte unipolar, bipolar und Latch-Verhalten
    im 1...100mT-Bereich
  • einstellbarer TK entsprechend Magnetmaterial
  • Low Power Version (20µA @ 10kSamples/s und VDD=2,5V)
  • Analoger Output in Entwicklung
  • Erfahrungen mit Mehrplattenanordnungen